明年手機更強了!高通攜手三星發表10nm製程S835處理器

記者洪聖壹臺北報導

其實早在公佈 QC 4.0 快充技術之前,高通已經悄悄發表新一代旗艦處理器型號爲 Qualcomm Snapdragon 835,採用三星代工的 10nm FinFET 製程,相較 S820 處理器來說,體積小了 30%,效能卻又提升 27%,運作時卻又可以降低40%的功耗,將讓明年的手機平板更薄、效能更強,卻又更省電。

紐約舉行的高通Snapdragon技術峰會期間,高通與三星攜手發表全新一代旗艦級處理器 Qualcomm Snapdragon 835,採用 10nm FinFET製程,着重在更小、效能更強,這意味着設備製造商有更多的可用空間提供更大的電池,或者是更薄的手機設計

Qualcomm Snapdragon 835 相較於 Qualcomm Snapdragon 820 來說,體積小了 30%,效能卻又提升 27%,運作時卻又可以降低40%的功耗。

高通、三星同時宣佈,Snapdragon 835 即日起開始出貨,預期於 2017 年上半年初,就會有搭載該處理器的產品推出,或許可以期待的是,明年 4 月亮相的三星 Galaxy S8,將可望是首款搭載該處理器的智慧型手機。

資料來源:高通、三星