比中芯7奈米更猛?陸巨頭爆超狂技術…驚見3奈米 拜登慘輸

長鑫儲存發表論文展示GAA技術,適用3奈米晶片。(示意圖/達志影像/shutterstock)

中國大陸記憶體晶片大廠長鑫儲存(CXMT)發表一篇論文,環繞式閘極(GAA)技術,適用於先進3奈米晶片,在拜登政府強力制裁下,陸廠再度取得重大突破。此前華爲於8月底推出5G新手機,搭載麒麟9000S處理器,由中芯國際7奈米制程生產,同樣突圍美國科技封鎖。

南華早報報導,長鑫儲存本週於舊金山舉行IEEE國際電子元件年會(IEDM)上發表一篇論文,展示GAA技術,可用於打造先進3奈米晶片。長鑫儲存雖未提供下一代記憶體晶片生產證據,但也引起產業析師關注,因爲此類晶片設計通常涉及受美國出口管制技術。

臺灣華邦電子儲存晶片專家Frederick Chen表示,長鑫存儲的進展證據「令人印象深刻」,代表這家公司離最先進的研究和技術不遠了,更重要的是,目前三星也在做相同的產品研發。

長鑫存儲發表聲明稱,這篇論文描述DRAM結構和4F2設計可行性相關的基礎研究,與長鑫存儲當前的生產技術無關,暗示這項設計樣張,還未成爲符合市場需求的產品。

長鑫存儲專家表示,任何有關該公司違反美國製裁或出口管制的指控,完全是錯誤的,「我們堅信國際電子元件年會的理念是秉持促進產業的創新和發展。」

半導體研究公司SemiAnalysis首席分析師Dylan Patel在X(原推特)平臺上表示,長鑫儲存的論文稱,在最先進的晶體管架構方面取得進展,意味着突破美國製裁。

兩週前,長鑫存儲發表,大陸首款低功耗雙倍資料速率5(LPDDR5)DRAM晶片,並已成功生產,再度拉進與韓國三星和SK海力士等一線廠商的差距。

美國今年10月擴大對中國大陸半導體設備出口管制措施,包括曝光、蝕刻、沉積、注入和清潔等技術,進一步打壓大陸晶片製造能力。

長鑫儲存成立於2016年,是大陸在全球DRAM市場的最大希望,目標爲追趕韓國記憶體巨頭三星、SK海力士,以及美國美光科技。