不到一年產能擬增8倍！存儲巨頭1b DRAM大擴產 明年還要再增65%

《科創板日報》6月17日訊 據The Elec消息，SK海力士正在大幅擴產第5代1b DRAM，以應對HBM與DDR5 DRAM的需求增加。

通過本次投資，按照晶圓投入量看，SK海力士的1b DRAM月產能將從今年一季度的1萬片增加到年末的9萬片，增幅達800%，且這一目標較去年年末給出的7萬片目標高出近三成。

這還不是擴產的終點。SK海力士還計劃到明年上半年，將1b DRAM月產量增加到14萬-15萬片，是今年一季度產能的14-15倍，最高較今年年末產能目標增超65%。

此次增設1b DRAM將在SK海力士的京畿道利川M16工廠進行，1y DRAM產線將轉爲生產1b DRAM。目前，1y DRAM產量約爲每月12萬片，產線轉向1b DRAM後，到2025年上半年，1y DRAM產量將減少到每月5萬片。

爲了擴產1b DRAM，SK海力士已向多家設備公司下單。

半導體設備行業相關人士談到SK海力士M16廠變動時透露，SK海力士曾要求移動設備、改造設備，並引進了1b DRAM生產所需的額外工藝設備，“主要是薄膜沉積、刻蝕、光刻等核心設備。”

薄膜沉積、刻蝕，與光刻設備並稱爲最重要的三大前道設備。券商指出，14納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合，使得刻蝕等相關設備的加工步驟增多，且60：1及以上高深寬比設備使用次數增加；晶體管結構從平面走向立體，芯片結構走向3D化，對刻蝕和薄膜沉積設備“量價齊升”。

進一步來說，設備行業更樂觀地認爲，SK海力士有望進一步擴大投資計劃。

“如果SK海力士營業銷量要求100%，那麼生產或投資部門只接受70%-80%水平，”某相關人士表示，“因爲上次行業下行週期時，公司按照要求進行生產和投資，導致陷入困境。”

另一位業內人士則指出，“設備訂單數量的增長已經超出了我們最初的預期。”

除此之外，SK海力士之前在4月決定，將忠清北道清水市M15X廠作爲下一代DRAM生產基地，該廠目前正在建設中，明年11月左右竣工，預計SK海力士將於明年初開始訂購所需裝備。

存儲行業的暖風已經吹了多時。除了DRAM之外，得益於消費電子需求復甦、AIGC帶動數據中心需求快速增長，NAND閃存也已逐漸走出低谷。

本月另一存儲大廠鎧俠已將旗下兩座NAND閃存廠的產線開工率提升至100%——這也意味着，鎧俠結束了自2022年10月起爲期20個月的減產，NAND生產實現正常化。

與此同時，由三家銀行組成的貸款銀團也同意對鎧俠即將到期的5400億日元貸款進行再融資，並提供2100億日元的新信貸額度。鎧俠將用所獲資金投入設備更新、新晶圓廠建設，提升218層BiCS8 NAND閃存產能。