G2再掀科技戰 臺積掃到颱風尾

美對中國半導體產業圍堵力道擴大，重創費半指數逾6％，臺積電ADR一度大跌6％以上，臺積電將於13日召開法說會，若釋出超過預期的利空，將成臺股不可承受之重。

集邦認爲，無論中系或美系IC公司，目前高效能運算（HPC）相關晶片，多半委由臺積電進行製造，製程主流爲7奈米及5奈米，部分爲12奈米。未來不論是美系廠無法再出口至中國市場，或中系廠無法進行開案及量產投片，都爲臺積電的7奈米及5奈米制程未來的訂單狀況，帶來負面影響。

根據集邦調查，此次更新的限制範疇主要在邏輯IC，包括鰭式場效電晶體（FinFET）或環繞閘極電晶體（GAAFET）架構的16／14奈米或更先進製程、DRAM的18奈米或更先進製程、NAND Flash的128層或更高層數產品等三個部分。

集邦指出，儘管中系晶圓廠積極與中國本土、歐系及日系設備商合作，企圖發展非美系產線，並已轉以發展28奈米及以上的製程爲主，但該禁令形同完全扼殺中國發展14／16奈米及以下先進製程擴產及發展的可能性，且28奈米及以上的製程擴產亦得經過美國主管機關曠日廢時的審查流程。

集邦指出，美對中國記憶體發展採取較嚴格的限制措施，且該法案亦影響三星西安廠、SK海力士旗下Solidigm大連廠的NAND Flash製程轉進規劃。