高通續用三星怕翻車？ 傳臺積電4奈米搶下肥單關鍵時間

臺積電4奈米有機會在2022年拿下高通訂單。(圖/達志影像)

美國行動處理器大廠高通(Qualcomm)去年發表最新一代的5G旗艦產品Snapdragon 888 (S888)5G行動平臺，採用三星5奈米制程，但卻傳出處理器過熱問題，甚至還輸給高通前一代採用臺積電7奈米制程的S865處理器。對此，媒體報導指出，高通下一代旗艦級產品可能找上臺積電4奈米制程。

受到陸美貿易戰衝擊以及定價優勢，臺灣IC設計大廠聯發科去年市佔率正式超越高通，但高通的5G處理器仍有強大競爭力，原本去年推出S888打算搶攻高階處理器市場，但隨着S888翻車情況被爆出，聯發科1月20日最新款5G旗艦級系統單晶片 (SoC)天璣1200與天璣1100，採用臺積電6奈米制程，在5G、AI、拍照、影片、遊戲等全方面的表現，滿足消費者超快速無線連結體驗。

對此，高通則是搶在聯發科發表新品前推出S870 5G行動平臺，但並非使用三星5奈米制程，而是臺積電7奈米制程。

據《digitimes》報導，內部人士消息指出，高通將繼續採用三星5奈米制程生產該公司下一代5G旗艦級處理器S895，但很有可能在2022年採用臺積電4奈米制程生產。

至於爲何高通近期將訂單釋給三星，市場人士指出，這與臺積電產能滿載、無法再排出更多生產線給客戶。爲此，臺積電今年2021年資本支出上調至250億美元至280億美元，調高約45~62％。臺積電表示，因應臺積電先進製程與特殊製程應用，與客戶需求大增，大幅調整資本支出規模，80％將用於3奈米、5奈米、7奈米等先進製程，10％用於先進封裝技術，10％用於特殊製程。

臺積電在去年8月舉行的年度盛會「全球技術論壇」提到，基於5奈米制程技術的4 奈米制程，預計2022 年量產，較先前指出2023年量產提早1年。至於三星，則是澄清沒有放棄4奈米制程，破除媒體傳言。

雙方目前在3奈米制程研發階段，並採用先進封裝技術，臺積電董事長劉德音日前指出，3奈米制程有機會在今年下半年開始試產，並延續FinFET技術，預計明年量產。市場消息指出，三星在3奈米制程已經開始採用GAA技術，但傳出研發時程延遲1季。