工研院攜手陽交、清大創新合作 可應用量子電腦與半導體

工研院攜手國立陽明交通大學，在全球頂尖的研發會上，發表新型磁性記憶體。(圖／工研院提供)

創新研發！工研院攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在超大型積體技術及電路國際會議、IEEE國際微波會議上，分別發表「新型磁性記憶體」與「110GHz超高頻模型」兩項成果論文。前者適用主流先進製程所需AI高速運算能力及製程微縮需求，後者可優化半導體產業界模型。

工研院電子與光電系統所所長張世傑表示，AI人工智慧、5G 時代來臨，快速處理大量資料的需求暴增，由於磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）具有高寫入與讀取速度，兼具快閃記憶體非揮發性，工研院多年前展開研究，成功開發出國際領先的磁性記憶體與相關運算技術。

這次工研院攜手陽明交大共同發表新型單極化磁性記憶體Unipolar-MRAM，一般要寫入資訊必須要透過雙向電壓來控制，新型磁性記憶體只要利用單向電壓即可存儲和讀取數據，在簡單的交點式結構達成高度元件微縮，不但較傳統磁性記憶體具有更高存取速度、低功耗和更長的數據保持時間，更可與既有的二極體與相關製程整合，實現較以往更高的儲存密度。

未來數據存儲解決方案除了可應用在物聯網設備、智慧手機、車載電子和人工智能等領域，在量子電腦、航太領域等前瞻應用更是潛力強大。

另爲了強化B5G、6G國產化產業鏈，工研院多年前從磊晶上游端串聯國內基板、半導體晶圓代工、封裝與網通等業者，建立完整的產業鏈，並與清大教授徐碩鴻團隊在元件開發、自主模型建立、電路設計上合作，突破高頻電路效能。

今年雙方也合作在IEEE發表基於自主超高頻模型下實現110GHz振盪器電路創新成果。在0.15um的氮化鎵製程下，可達到世界最高頻110GHz振盪器記綠。且技術團隊提出的自主三端電路模型爲新結構自主模型，不僅可優化業界半導體廠提供的模型，更在110GHz高頻達到極高準確度，未來將以此關鍵技術持續拓展國際合作契機。