記憶體廠搶HBM 美光跳階

根據TrendForce報告指出，記憶體原廠在面臨輝達（NVIDIA）以及其他雲端服務業者（CSP）自研晶片的加單下，加大TSV（矽穿孔）封裝產線來擴增HBM產能。

從目前各原廠規劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105％，不過，考量TSV擴產加上機臺交期與測試所需的時間合計可能長達9～12個月，TrendForce預估，多數HBM產能要等到2024年第二季纔可望陸續開出。

由於今明年屬AI建置爆發期，故大量需求挹注在AI Training晶片，並推升HBM使用量，後續建置轉爲Inference以後，對AI Training晶片及HBM需求的年成長率則將略爲收斂。

因此，原廠此刻在HBM擴產的評估正面臨抉擇，必須在擴大市佔率以滿足客戶需求，及過度擴產恐導致供過於求間取得平衡。

值得注意的是，目前買方在預期HBM可能缺貨的情況下，其需求數量恐隱含超額下單（Overbooking）的風險。

觀察HBM供需變化，2022年供給無虞，2023年受到AI需求突爆式增長導致客戶的預先加單，即便原廠擴大產能但仍無法完全滿足客戶需求。

展望2024年，TrendForce認爲，基於各原廠積極擴產的策略下，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預估將從2023年的－2.4％，轉爲0.6％。

以HBM不同世代需求比重而言，TrendForce表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50％及39％。

隨着使用HBM3的加速晶片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60％，且受惠於其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動2024年HBM營收顯著成長。