今明兩年全球芯片產能將持續增長，AI與中國大陸廠商成重要推手

6月18日，國際半導體行業權威機構SEMI（國際半導體產業協會）發佈的最新季度《世界晶圓廠預測報告》顯示，爲跟上芯片需求持續增長的步伐，全球半導體制造產能預計將在2024年增長6%，並在2025年實現7%的增長。

行業習慣將7納米及以下的芯片劃分爲先進製程，28納米及以上芯片爲成熟製程。而最新的一輪擴產潮兩者均有涉及：一方面是來自AI算力需求的激增，以先進製程芯片的擴產最爲明顯；另一方面是中國大陸廠商在成熟製程領域的集中擴產。

報告統計，5納米及以下先進製程節點產能預計在2024年將增長13%，主要受數據中心訓練、推理和前沿設備的生成式AI的驅動。到2025年時，臺積電、三星、英特爾將着手準備生產2納米芯片，先進製程產能屆時將進一步提高17%。

除了邏輯計算芯片外，從2022年開始，因市場供過於求陷入低谷的存儲芯片同樣因AI迎來一波產能擴張，HBM是其中的代表。這種新方案使用3D堆疊技術，將多個DRAM（動態隨機存取存儲器）芯片垂直堆疊在一起，可以實現更高的存儲容量、更大的存儲帶寬和更低的延遲。

眼下HBM的產能正供不應求，大客戶是英偉達、AMD、英特爾等AI芯片廠商。行業內的擴產投資主要由“存儲三巨頭”三星、SK海力士、美光領銜。其中，SK海力士、美光上半年都已宣佈其2024年、2025年的HBM產能全部售罄，計劃重金投建新工廠用於生產更多HBM。三星此前也表示，計劃將HBM的產能比去年擴增近三倍。

存儲芯片市場主要由DRAM內存（Memory）和 NAND Flash閃存（Flash Memory）兩大產品線構成。按照SEMI報告預測，由於HBM的投資需求直接刺激DRAM市場增長，2024年和2025年DRAM產能都將增長9%。相比之下，NAND Flash閃存市場的復甦仍然緩慢，2024年的產能預計不會增長，2025年則增長5%。

除海外廠商在先進製程芯片上進行佈局外，中國大陸廠商在成熟製程領域的大舉擴產是全球市場產能增長的另一大動力。

中國國內的芯片產能目前以成熟芯片爲主。據SEMI預測，未來將在2024年增長15%，2025年再增長14%，佔據行業總產能的三分之一。

華虹集團、晶合集成、芯恩、中芯國際和長鑫存儲在內的主要廠商正在大力投資建廠，產能幾乎全部鎖定成熟製程。

上半年的進口數據也印證了這一點。中國海關總署的數據顯示，2024年1至4月，中國大陸半導體生產設備的進口總額達到了104.87億美元，同比增長88%，其中絕大多數來自荷蘭、日本等地，主要用於成熟製程芯片的生產。

與中國大陸相比，其他大部分區域市場並未有大規模的擴產動作。按SEMI調查預測，主要芯片製造地區的產能增長率都不超過5%。其中，中國臺灣2025年預計增長4%，韓國預計增長7%，日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞地區半導體產能將分別增長3%、5%、4%、4% 。

全球第一大芯片生產商臺積電對於擴產的態度十分謹慎。此前，公司在一季度財報會上將2024年全球晶圓代工業產值增長預期由20%下調至10%。據其判斷，今年仍然是市場需求緩慢回升的一年。

儘管存在擴張產能未被及時消化的風險，中國大陸廠商仍將繼續積極投資擴產，部分原因是爲減輕美國對華出口管制的影響。

一家國際分析機構的半導體研究主管告訴界面新聞記者，近兩年之內半導體行業整體需求低迷，但由於美對華出口管制升級使得國產化被提上緊急議程，國內廠商集體選擇逆勢擴產，不少頭部晶圓廠都揹負了不小的壓力，毛利潤偏低，產能利用率下滑。雖然眼下正逐漸修復，但行業擴產要滿足國產化的目標依然有很長的路要走。