《科技》DRAM產業Q2營收季增近25% Q3合約價漲幅上修

觀察第三季DRAM價格，TrendForce表示，多數DRAM原廠甫於2024年7月下旬和PC OEMs及CSPs議定第三季合約價，結果顯示漲幅皆高於預期。TrendForce據此上修conventional DRAM第三季合約價漲幅爲8%至13%，較原預估值提高約5個百分點。

TrendForce指出，自第二季開始，中系CSPs因擔憂美國政府對其AI晶片或記憶體採購推出新一波制裁，皆積極備貨，導致採購規模較去年同期翻倍，激勵DRAM原廠鎖價喊漲。這種情況對美系CSPs的採購談造成壓力，讓美系業者也必須上修採購價。而server DRAM價格漲幅上調，同樣有利於刺激PC DRAM合約價的商談氣氛。

此外，爲趕在HBM3e產品通過驗證後及時出貨，Samsung先已在工廠投片生產HBM3e晶圓，此舉將排擠2024年下半年1alpha nm製程的DDR5排產。各原廠近期逐步完成2025年度的產能規畫，其中，HBM生產比重較高的SK hynix及Samsung都將出現HBM3e排擠DDR5的情況，預期未來幾季DRAM價格將難以回落。

觀察三星Samsung、SK海力士SK hynix和美光Micron第二季出貨表現，皆較前一季增加，平均銷售單價方面，三大廠延續第一季合約價上漲情勢，加上臺灣四月初地震影響，以及HBM供不應求、催化DRAM買方轉爲積極採購，第二季合約價最終調漲13%至18%。

TrendForce表示，2024年第二季Samsung受惠於平均銷售單價季增17%至19%，位元出貨量也小幅增加，帶動DRAM營收成長至98.2億美元，季增22%，市佔維持第一。SK hynix則因其HBM3e產品通過認證、出貨放量，帶動位元出貨季增超過20%，營收大幅增加至79.1億美元，季增幅高達38.7%。Micron第二季的營收較上季增加14.1%，爲45億美元，雖然售價微幅下降，但位元出貨量季增達15%至16%，但由於Micron第二季積極去化低價的1beta nm DDR5次品庫存，整體表現落後兩大同業。

在各廠獲利部分，由於DRAM合約價上漲，原廠產能利用率已恢復滿載、認列庫存跌價損失迴轉，以及DDR5、HBM等高價產品出貨比重提升，各原廠第二季持續保持獲利。其中，Samsung營益率自上季的22%增加至37%，SK hynix從33%增至45%，Micron則因爲HBM產品貢獻度較低，營益率僅從6.9%回升至13.1%。

觀察臺廠第二季表現，南亞科(2408)在consumer DRAM的終端銷售動能放緩，出貨量小幅下降，但因平均單價上揚，營益率從-30.7%改善至-23.4%。華邦電(2344)因小幅調漲高容量產品合約價，平均銷售價格成長24%至26%，加上高單價的低容量產品出貨比例高，帶動營收季增3.7%，達1.68億美元。力積電(6770)若只計算其生產的consumer DRAM營收，第二季則季減約13.5%，若加計代工營收則季增2.2%，反映代工客戶積極儲備庫存。