《科技》先進製程與AI推動 2025年3趨勢促CoWoS需求大增

TrendForce指出，晶圓廠前段製程發展至7奈米制程導入極紫外光（EUV）微影技術後，鰭式場效（FinFET）結構自3奈米制程開始逐漸面臨物理極限，使先進製程技術自此出現分歧，臺積電(2330)、英特爾（Intel）及三星各採取不同策略推進。

其中，臺積電及英特爾延續FinFET結構，於2023年量產3奈米產品。三星雖嘗試由3奈米首先導入基於環繞閘極電晶體（GAAFET）的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，並率先於2022年正式量產，但至今未放量。

展望2025年，臺積電2奈米轉進奈米片（Nanosheet）電晶體架構，英特爾18A則導入帶式場效電晶體（RibbonFET），三星致力改善MBCFET 3奈米制程、力拚實現規模量產，三方正式轉進GAAFET架構競賽，提供更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。

而AI應用帶動客製化晶片及封裝面積需求日益提升，同步推升CoWoS先進封裝需求。TrendForce觀察，2025年CoWoS有三大重要發展。首先，輝達（NVIDIA）對臺積電CoWoS需求佔比將升至近60％，並驅動臺積電CoWoS月產能於年底達75～80K、接近翻倍。

其次，NVIDIA Blackwell新平臺在2025年上半年逐步放量後，將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，佔比有望逾60％。最後，雲端服務供應商（CSP）積極投入特殊應用（ASIC）AI晶片建置，亞馬遜網路服務（AWS）等業者對CoWoS需求量亦將明顯上升。