力旺攜聯電 強攻車用市場

力旺季度業績

矽智財廠力旺電子（3529）與聯電（2303）宣佈，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，未來可望應用在AIoT及行動通訊應用等終端使用的嵌入式記憶體解決方案，且力旺更指出，後續將持續擴大與聯電開發車用規格的RRAM，強化力旺在車用電子市場佈局。

力旺提供的8Mb RRAM矽智財具有額外的16Kb資訊儲存區塊和內部修復與錯誤偵測／修正等關鍵功能，可用於IoT設備中的微控制器和智慧電源管理IC的編碼儲存，還可以支援人工智慧之記憶體內運算架構。聯電提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平臺，使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。

力旺技術長暨第二事業羣總經理林慶源表示，對40奈米、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米0.8V／2.5V平臺實現更高的儲存密度、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。

力旺指出，RRAM IP具有一萬次覆寫能力和長達十年的數據保留，並可承受高達105度的高溫。爲了方便用戶，這款RRAM IP設計具備友善的介面、完整的使用者模式和測試模式，並可在0.8V／2.5V標稱雙電壓接口下進行編程。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

事實上，力旺在嵌入式非揮發性記憶體矽智財領域具有市場領先地位，且獲得臺積電、聯電、世界先進等晶圓代工大廠導入，在力旺推出該款新產品後，後續有機會擴大導入到歐美等各大終端品牌供應鏈。

力旺2月營收達2.13億元、年減9.7％，累計今年前兩月合併營收爲6.08億元、年減9.3％，寫下歷史同期次高。