聯電新加坡擴建新廠2026年投產 法人估今年 EPS 4.3元

聯電（2303）新加坡 Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批機臺設備到廠，象徵建立新廠的重要里程碑。聯合報系資料照

聯電（2303）新加坡 Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批機臺設備到廠，象徵建立新廠的重要里程碑。2022年聯電宣佈P3的擴建計劃，當時設定成爲新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一。

法人機構表示，聯電在新加坡新廠 Fab 12i P3第一期的月產能規劃爲30K片晶圓，提供22、28nm製程，原預計cleanroom 在今年上半年完成，明年4月開始量產，但考量市場情況和客戶訂單，預計將延至2026年1月試產，當年下半年進入量產，不過初期會視市場狀況逐步拉昇產能。新廠擴增的產能也簽訂長期的供貨合約，以確保之後對客戶產能的供應。

聯電 Fab 12i P3將是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，也是聯電的先進特殊製程研發中心。新廠生產爲特殊製程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI 及混合信號 CMOS 等，可應用在智慧型手機、智慧家庭設備和電動車等。

分析師表示，聯電4月營收月增8.6%、年增6.9%，其中，消費性電子與手機需求回溫，相關產品包括 OLED Driver IC，ISP、Wi-Fi SOC 等，電腦、消費和通信領域的庫存狀況改善到更健康的水準，不過客戶下單仍謹慎，因此預計聯電晶圓出貨量將緩慢回溫。

整體而言，雖尚未見強勁復甦力道，不過晶圓需求可望逐步回溫，預估第2季聯電晶圓出貨量季增1~3%，產能利用率64~66%，整體產品的美元 ASP 維持上季水準，預估整體毛利率將和上季相近，約30%左右，單季每股獲利（EPS）0.95元。

聯電和英特爾合作開發12nm FinFET 製程平臺，在2026年進入試產，2027年正式投產，在準備階段並無收授權金。聯電對今年持審慎樂觀態度，雖整體經濟環境的不確定性，訂單能見度相對有限，但預估全年半導體產值年增4~6%，晶圓代工產值上修至年增11~13%下，市場預估今年 EPS 約4.35元。