美光科技：臺灣地震導致DRAM芯片季度供應下降5%，生產尚未完全恢復｜硅基世界

美光科技Logo（圖片來源：鈦媒體App編輯拍攝）

中國臺灣花蓮7.3級強震對於存儲芯片市場的影響持續發酵。

鈦媒體App獲悉，4月12日，全球存儲芯片巨頭美光科技（Micron）向美國SEC發佈文件稱，中國臺灣4月3日發生的地震將導致公司生產的DRAM（動態隨機存取記憶體）產品供應在本季度內造成高達中個位數百分比的影響，即5%左右。

美光方面也強調，目前就公司運營和供應鏈影響來看，所有美光團隊成員都是安全的，而且這場地震對設施、基礎設施或工具沒有永久性影響，也不會影響我們的長期 DRAM 供應能力。

據悉，美光成立於1978年，其主要業務爲生產各種半導體元件，包括動態隨機存取存儲器，閃存和固態驅動器；其主要產品包括DRAM、NAND閃存存儲器、其它半導體元件和內存模組等。

全球份額方面，集邦諮詢最新數據顯示，2023年第四季度，美光依然是全球第三大DRAM廠商，市場份額爲19.2%；在NAND市場，美光該季度的市場份額爲9.9%，位列第五。

而從全球範圍來看，存儲市場主要由三星、SK海力士、美光科技、鎧俠和西部數據等大廠商主導，這5家合計佔據全球接近98%的市場份額。

美光科技最新財報顯示，截至2月29日的2024財年第二財季，美光營收爲58.24億美元，同比、環比分別增長58%、23%；美光還扭虧爲盈，實現4.76億美元淨利潤，上財季與上財年同期則分別錄得淨虧損10.48億美元和20.81億美元。

據美光在中國臺灣的董事長盧東暉透露，以DRAM製造爲主，美光有多達65％的DRAM在中國臺灣生產，未來中國臺灣更將是最先進DRAM製造和先進封裝重鎮。另外，臺中工廠在2023年下半年也開始量產先進的1-beta製程，主要生產汽車、數據中心等場景的存儲芯片。而後續也將有HBM在中國臺灣地區生產。

因此，臺灣花蓮地震對於美光科技DRAM影響很大。

今年4月3日上午7時58分，在中國臺灣花蓮縣海域（北緯23.81度，東經121.74度）發生7.3級地震，震源深度12千米。這是島內近25年來最大規模地震，造成了超過30萬戶停電、部分交通停運和建築損毀。

針對此次地震，美光科技隨後發佈公告稱：確認所有當地員工均安全無虞。當地的生產運營和供應鏈影響程度仍在評估中，將持續與客戶溝通供貨的情況。據悉，美光在臺的林口廠與臺中廠仍需數日時間完全恢復運作，其餘廠區多半在停機檢查後陸續復工。

然而，地震數日後，美光存儲芯片產品率先暫停報價，將待災後的損失評估後再度啓動2024年Q2合約價談判。

早前有消息稱，美光已向多數客戶提出調升Q2產品報價，漲幅超過20%，價格談判仍在進行中。同時，NAND閃存價格也在持續上漲，一季度整體漲23-28％，第二季度預計還會再漲13%-18％。

除了美光成爲率先調漲Q2報價的存儲廠商，目前，三星、SK海力士也跟進停止報價，儘管兩大供應商並沒有DRAM生產位於中國臺灣地區，但也希望觀望後市後再行動。DRAM供應商目前大致處於停止報價階段，模組廠也跟進停止報價，但三星和SK海力士也希望提高DRAM產量，將恢復至削減前水平。

業界認爲，基於近來存儲器原廠持續拉擡價格的態度，如今三家原廠停止報價可能成爲漲價訊號，並牽動第二季度合約價格。

Omdia表示，三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調升至60萬片，環比增長13%；預計下半年將DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM產量恢復到削減前的水平。SK海力士將把每月平均DRAM晶圓投入量從第一季度的39萬片增加到第二季度的41萬片；下半年預計該公司的DRAM晶圓投入量將增加至45萬片。

集邦諮詢在4月10日表示，地震影響衝擊小，美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復100%的產線運作，其中僅有美光已經轉進至先進製程，多爲1alpha與1beta nm，預估將影響整體DRAM產出位元佔比；其餘DRAM廠仍停留在38、25nm，產出佔比相對小。整體而言，預期本次地震對第二季DRAM產出位元影響仍可控制在1%以內，並且合約價漲幅效果有限。

集邦諮詢強調，二季度移動DRAM合約價季度漲幅約3~8%。而服務器DRAM方面仍不排除美光相關產品最終成交價可能上升，後續價格走勢仍待觀察。

（本文首發鈦媒體App，作者｜林志佳）