Microchip持續擴大氮化鎵 射頻功率元件產品組合

與所有Microchip的GaN射頻功率產品一樣，新元件採用碳化矽基氮化鎵技術製造，提供了高功率密度和產量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃接面溫度下使用壽命超過100萬小時。

這些產品包括覆蓋2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化鎵MMIC，3dB壓縮點（P3dB）射頻輸出功率高達20W，效率高達25％，以及用於S和X波段的裸晶和封裝氮化鎵MMIC放大器，PAE高達60％，以及覆蓋直流至14GHz的分離高電子遷移率電晶體（HEMT）元件，P3dB射頻輸出功率高達100W，最大效率爲70％。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示，Microchip持續投入打造GaN射頻產品系列，以支援從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產品組合包括從低功率水準到2.2千瓦的50多種元件。今天宣佈推出的產品跨越了2至20GHz，旨在解決5G和其他無線網路採用的高階調變技術帶來的線性度和效率挑戰，以及滿足衛星通訊和國防應用的獨特需求。

除GaN元件外，Microchip的射頻半導體產品組合包括砷化鎵（GaAs）射頻放大器和模組、低雜訊放大器、前端模組（RFFE）、變容二極體、蕭特基和PIN二極體、射頻開關和電壓可變衰減器。此外，公司還提供高效能表面聲波（SAW）感測器和微機電系統（MEMS）振盪器以及高度整合的模組。這些模組將微控制器（MCU）與射頻收發器（WiFi MCU）相結合，支援從藍牙和WiFi到LoRa的主要短程無線通訊協定。