明年手機更強了！高通攜手三星發表10nm製程S835處理器
其實早在公佈 QC 4.0 快充技術之前，高通已經悄悄發表新一代旗艦處理器，型號爲 Qualcomm Snapdragon 835，採用三星代工的 10nm FinFET 製程，相較 S820 處理器來說，體積小了 30%，效能卻又提升 27%，運作時卻又可以降低40%的功耗，將讓明年的手機平板更薄、效能更強，卻又更省電。
在紐約舉行的高通Snapdragon技術峰會期間，高通與三星攜手發表全新一代旗艦級處理器 Qualcomm Snapdragon 835，採用 10nm FinFET製程，着重在更小、效能更強，這意味着設備製造商有更多的可用空間提供更大的電池，或者是更薄的手機設計。
Qualcomm Snapdragon 835 相較於 Qualcomm Snapdragon 820 來說，體積小了 30%，效能卻又提升 27%，運作時卻又可以降低40%的功耗。
高通、三星同時宣佈，Snapdragon 835 即日起開始出貨，預期於 2017 年上半年初，就會有搭載該處理器的產品推出，或許可以期待的是，明年 4 月亮相的三星 Galaxy S8，將可望是首款搭載該處理器的智慧型手機。
＊資料來源：高通、三星