三星Galaxy S9、S9+外觀、電池容量、發表時間等傳聞整理

記者洪聖壹臺北報導

2017 年 Galaxy S8 系列與 Note8 系列讓三星電子在行動通訊事業方面有了正向的成長,這也使得接下來的 Galaxy S9 系列備受關注,由於最近曝光消息相當零散,《ETtoday新聞雲》特別整理了一下近期傳聞,提供給讀者參考。

*2018年初發表

根據最早的傳聞指出,三星電子打算提前發表旗下新一代旗艦機Galaxy S9、Galaxy S9+,時間可能將會訂在 2018 年 1 月,甚至還傳出將於 CES 2018 期間亮相,當然依照三星曆年的作法,CES 期間仍有許多事情需要交代,或許可以期待的是 CES 2018 期間出現該款手機的預告,同時公開發表會時間與地點

*10nm處理器

依據高通的說法,在 2018 年初,Snapdragon 845 採用的 10nm 技術已經相當成熟,因此「除了三星之外」,在同時間還會有其他手機廠商會採用該行動平臺。換言之,三星Galaxy S9、S9+ 除了採用自家 Exynos 最新一代旗艦處理器外,將可望採用高通最新的 S845 行動平臺,關於該行動平臺的相關介紹,可參照下方連結報導:

高通S845特色詳解:主打AI、獨立資安管理、拍照破百分

▲三星S9 系列將採用 10nm 的高通S845行動平臺。(圖/記者洪聖壹攝)

*雙鏡面玻璃指紋辨識設計

關於 Galaxy S9 系列的渲染圖相當多,不過根據近期曝光的正面面板照,再搭配消息向來準確的 Onleaks 釋出的渲染影片來看,幾乎可以確認 Galaxy S9 系列的正面除了邊框厚度比 S8 系列薄一點之外,外觀可能跟S8、甚至Note8 都差不多,不過主鏡頭維持單顆,保留實體指紋辨識,卻移除了心率偵測模組,實體指紋辨識模組跟單鏡頭的排列也改爲垂直排列,這是比較大的變化

*全新感光元件

根據 etnews 報導,三星電子已經成功開發,並於今年(2017)11 月生產一秒鐘內可拍攝1000張照片的高速影像感光元件組,應用原理主要是透過堆疊在感光元件底下的邏輯芯片搭配 TSV (Through-Silicon Via)封裝技術來臨時存儲數據的DRAM芯片所製成。

這項解決方案與 SONY 相同,都是在底層導入可以臨時存儲數據的 DRAM 芯片,差別在於,三星電子透過所謂熱壓接(TC)的貼合方式來連接DRAM,藉此解決相機過熱問題消息人士透露,三星電子最快,將於 11 月 17 日生產出第一批這種三層式堆疊的感光元件,預期將會被用在下一代Galaxy智慧型手機(也就是Galaxy S9)當中

*詳見:傳Galaxy S9將採用三星全新感光元件 每秒可拍1000張照片

▲傳 S9 系列將採用單鏡頭設計,並採用全新感光元件,可拍攝出超級慢動作的影片。(圖/Galaxy S8+資料照,記者林世文攝)

*快充更快、電池容量更大

來自中國媒體曝光的消息來看,Galaxy S9 的電池容量3200mAh的電池,比 Galaxy S8 還要多 200mAh。而依照高通提供的數據,搭載高通 Snapdragon 845 行動平臺的Galaxy S9 系列,預計可以待機 20 天,可能也將支援最新的QC 4.0+,手機從 0% 充電到 50% 只要花 15 分鐘。

以上是目前爲止,比較可信的 Galaxy S9 傳聞整理,相關內容除了 Snapdragon 845 行動平臺在內,都未經過三星電子官方承認,或許 CES 2018 會有更多消息出現,相關後續,《ETtoday新聞雲》將會進行追蹤報導。