臺積電注意了 英特爾再喊技術超車 關鍵時間點曝光

英特爾展現拓展晶圓代工的企圖心。（圖／shutterstock）

美國半導體巨頭英特爾積極拓轉晶圓代工領域，先前執行長Pat Gelsinger曾喊出要在4年內趕上臺積電與三星的技術，展現奪回領導地位的決心，近日，Pat Gelsinger再次表示，英特爾與臺積電的差距持續縮小，未來幾年內可以超車對手，此外，Pat Gelsinger也透露月底有機會公佈其新建大型晶圓廠的地點，總投資金額達千億美元。

綜合外媒報導，Pat Gelsinger認爲，全球晶片嚴重短缺的困境，讓供應鏈意識到增加靈活度的重要性，這也是英特爾決定在歐洲及美國設廠的主要原因，「如果10年後，美國、歐洲及亞洲的生產比重能變成30%、20%、50%，我想所有人都會比較滿意。」

此前，Pat Gelsinger已宣佈新的4年代工計劃，未來4年預計推出5個世代的晶片，最高階的18A技術將在2025年推出，並預計在2023年第二季推出4奈米晶片。

近日Pat Gelsinger再加碼透露，有望在月底公佈大型晶圓廠的確切位置，該晶圓廠將包括6至8座小型晶圓廠，預計耗資千億美元，是未來英特爾發展的重要基地。

另外，針對英特爾與臺積電、三星的競爭關係，Pat Gelsinger強調他們有信心在未來幾年超越，「我們正持續縮小落後差距，並在未來幾年重新恢復在半導體產業的領導的地位。」

Pat Gelsinger也提到美國半導體補助對於英特爾的重要性，「相較於美國，在亞洲建廠的成本少30%，若在大陸建廠則會少50%，代表在不同地方設廠的成本差距會達到數十億美元，因此若美國廠商想要取得優勢，就需要至少30至50%的經濟補貼。」