新聞分析－在美設3奈米廠 不會排擠在臺佈局

臺積電已經在竹科寶山二期興建Fab 20超大型晶圓廠，將成爲2奈米生產重鎮。臺積電Fab 20廠區將分爲第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預計2024年下半年進入風險性試產，2025年進入量產，2026～2027年逐步填滿產能。

臺積電2奈米將首度採用奈米層片GAA電晶體架構，技術開發進度符合預期。

臺積電重申2奈米開發符合進度，預計於2025年量產。臺積電日前在科技論壇中指出，在奈米層片電晶體和設計技術協同優化（DTCO）的協助下，臺積電2奈米效能和功率優勢提升了一個世代。相較於3奈米N3E製程，在相同功率下，速度提升10～15％，或在相同速度下，功率降低25～30％。

由臺積電先進製程擴產時間表來看，2奈米先進製程根留臺灣，N-1製程纔會轉移到國外廠區量產，亦即在臺灣2奈米量產後，美國3奈米會纔會進入裝機及生產階段，所以不會對臺灣最先進製程規劃發生排擠效應。

以現在全球地緣政治的變動情況來看，臺積電會繼續在臺灣尋求合適地點建置1.4奈米制程世代晶圓廠，美國晶圓廠的產能建置及技術推進應會在2030年左右進入2奈米世代。