中美角力 聯電淪爲夾心餅乾

美國記憶體大廠美光（Micron）控告聯電與員工竊取營業秘密案，臺中地院一審除了判涉案三人罰金與有期徒刑外，聯電也遭罰1億元。在這場美中貿易戰局中，美方提出的訴訟顯然意在嚇阻中國大陸自主研發DRAM，中方自然也給予反擊，聯電夾在兩強之間，要順利脫身並不容易。

中國官方近幾年來積極投資半導體產業，意在提升技術自主及產能自給，除了建立晶圓代工廠之外，亦針對DRAM及NAND Flash擴大投資。其中，聯電及大陸合作的DRAM廠晉華已被美國下了封殺令，合肥長鑫則宣稱獲得之前德國DRAM廠奇夢達技術並開始量產，兆易創新亦宣佈與Rambus達成技轉並加速DRAM研發。

不過，隨着美中貿易戰愈打愈火熱，晉華一案也讓聯電被扯進侵權的風暴當中。臺灣地檢署起訴美光離職員工竊密的刑事起訴是在臺灣，美光亦選擇美國提起民事求償。其中，檢察官針對聯電「未盡力防止」竊密罪起訴，臺中地院一審宣判有罪。

實際上，對聯電來說，DRAM技術研發雖然中斷了十幾年，但所有研發及會議都有留下紀錄，還有自行研發過程中所產生的專利。

聯電與晉華合作的DRAM研發已停止，而且並未進入生產階段，所以美光真要告聯電侵權也不是件容易的事。

至於對美光而言，阻止聯電的DRAM研發只是第一步，業界普遍認爲，美光接下來的可能提起侵權的訴訟對象，應該就是合肥長鑫及兆易創新這兩家公司。

業界人士指出，由於美光的DRAM位元記憶胞結構是全球獨家的結構，與韓系兩大廠的設計完全不一樣，與奇夢達的DRAM結構也不相同。所以，若大陸兩家業者做出來的DRAM結構與美光雷同，就會有侵權的疑慮，這纔是後續應該觀察的重點。