《半導體》IET-KY Q1每股賺0.01元 雙路並進迎產業曙光

受到半導體產業景氣低迷且持續探底影響，IET-KY第1季合併營收爲1.48億元，年減32.76%，營業毛利爲3689萬元，年減63.15%，合併毛利率爲24.94%，年減20.6%，稅後盈餘爲39萬8000元，年減99.05%，單季每股盈餘爲0.01元。

以產品別來看，磷化銦(InP)磊晶片銷售佔比約44.8%、砷化鎵(GaAs)銷售佔比34.0%、GaSb及勞務收入18.3%。

美國爲了應對全球半導體供應短缺、提升國內半導體產能以及保障國家安全而推出「CHIPS Act計劃」，該法案旨在通過政府資金支持、稅收優惠等激勵措施，鼓勵企業在美國境內投資建設半導體生產設施，同時也支持半導體相關的研發活動。美國希望藉此增加國內半導體產能，降低對國外供應鏈的依賴，以確保半導體產業的可持續發展。

高永中表示，第1季因多數大廠庫存水位仍高，量產訂單較緩釋出，客戶並未流失，目前公司各項磊晶產品研發仍在積極進行中，半導體產業景氣預計已到達谷底，接下來公司也將透過參與美國CHIPS Act計劃申請以及擴大新廠，來滿足各式訂單的需求。

就各產品來看，在光電和高頻產品部分，第1季量產客戶庫存仍然較高，但各客戶的研發產品訂單仍在持續進行，因此磷化銦磊晶產品的長期需求仍然看好；APD客戶和產品種類則持續增加，在不受景氣影響的情況下，量產訂單也在持續增加。高頻HBT量產訂單則預計在第2季逐步恢復，大尺寸InP HBT等磊晶產品也已開始交貨。

在軍工產品方面，美國國防相關的銻化鎵紅外磊晶片需求穩定，氮化鎵客戶對氮化鎵二次生長(GaN+ Regrowth)磊晶產品提高射頻表現表示肯定，客戶數量持續增加。此外，公司也已獲得高端國防和航空pHEMT量產訂單，今年需求持續增加；砷化鎵紅外磊晶產品訂單則已到位，將與主要商業客戶洽談量產訂單。另外，紅外夜視增強器的測試儀器正在安裝，國防合約也正在談判中。

在硬體組件部分，目前有三家公司正在洽談MBE機臺和系統升級銷售合約，自制氮化鎵MBE磊晶機臺預計下半年及年底投入生產，自制氮化鎵300mm GaN/Si MBE磊晶機臺設計也已正式開始。硬體組件和服務訂單也在增加，整體硬體組件銷售比例有望提高。

高永中指出，英特磊正積極調整策略並尋求新的市場機會，公司將繼續加強MBE軟硬體能力，提升產品競爭力，並積極參與國際市場競爭，與全球主要客戶合作，確保市場份額穩定增長。