長江存儲 再告美光侵權

大陸3D NAND快閃記憶體制造商長江存儲，再度將美光告上法院。（圖／取自Business Korea）

大陸記憶體制造大廠長江存儲（YMTC）再度將美光告上美國加州法院，指控美光侵犯其11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江存儲還要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的記憶體產品，同時支付專利使用費。

美國科技網站Tomshardware報導，長江存儲指控稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列），侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。

值得一提的是，2023年11月，長江存儲在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費類產品事業部提告，指控美光侵犯八項與3D NAND Flash相關的美國專利。

今年6月7日，長江存儲還在美國加州北區聯邦法院提告，指控受美光資助的丹麥諮詢公司Strand Consult及副總裁雷頓（Roslyn Layton）散佈虛假訊息，破壞長江存儲的市場聲譽和商業關係。

美國商務部於2022年底將長江存儲列入實體清單，這大大增加該公司從美國公司獲得先進晶圓廠設備以製造其市場領先的3D NAND設備的難度。去年，該公司面臨更大的問題，因爲美國商務部禁止銷售可用於製造具有超過128層及以上的3D NAND Flash設備和技術，又一次打擊該公司。

儘管受到美國政府的嚴格限制，長江存儲仍繼續努力透過原有的設備，及大陸國產設備發展3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品依然在奮力的維持生產，並正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。

今年早些時候，長江存儲還宣佈，已設法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水準，這大大改善了廉價SSD的特性。此外，長江存儲還在開發基於Xtacking 4.0架構的晶片，最快可能會在今年底出現，層數超過了300層。

長江存儲正試圖透過專利來打擊美光，以獲得對抗美國打壓的籌碼。公開資訊顯示，長江存儲成立於2016年，總部位於湖北武漢， 主要專注於3D NAND型快閃記憶體設計製造，已於2022年實現232層3D NAND量產，且二期規劃產能將達到30萬片／月，股東主要有湖北國資以及大基金二期。