華邦電加速興建高雄12吋廠 資本預算131億

記憶體大廠華邦電董事會16日決議，通過高雄12吋晶圓廠資本支出預算案，覈准資本預算達131.27億元，將自3月起開始陸續進行投資。華邦電高雄12吋廠將在明年上半年裝機及試產，明年下半年將進入量產，初期將生產20奈米世代製程DRAM。

華邦電此次資本支出預算案，內容包括建置及擴充產能的生產設備、實驗室設備、測試設備、廠務設施工程等，涵蓋時間包括今年及明年。華邦電錶示，該資本支出預算案主要用於高雄新廠，預計於今年3月起陸續投資，並於明年試營運。華邦電高雄廠是第二座12吋晶圓廠。

華邦電錶示，相當重視研發創新及全球人才佈局，預計未來在南科高雄園區產業聚落效應的帶動下，能吸引更多半導體人才加入，一同致力於提供客戶全方位的利基型記憶體解決方案。

華邦電於日前法人說明會中指出，今年資本支出預計127億元，較去年成長約六成，而高雄新廠預計明年上半年試產，明年下半年量產，2023年將明顯貢獻營收。

華邦電臺中廠目前產能主要以快閃記憶體爲主，去年已將月產能由5.4萬片提升至5.7萬片，投片維持滿載狀態。不過，華邦電今年臺中廠產能不會再擴充，但將因應客戶需求進行產能調配。

華邦電自行開發的25奈米DRAM製程，目前生產良率已達成熟製程水準，25奈米營收佔比已由去年第一季的8％，成長至去年第四季的20％，目前25奈米制程佔DRAM整體投片量比重達五成。

華邦電總經理陳沛銘表示，25奈米微縮版DRAM製程前期開發，已完成且進展順利，將先在臺中廠試產，也會與客戶就產品驗證先展開合作，以便未來高雄廠完成裝機，就能直接進入生產狀態。

集邦科技表示，華邦電近年重心皆在快閃記憶體業務，DRAM產能在高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此華邦電選擇重點支持DDR2及DDR3低容量產品，也因華邦電在該領域擁有相對更高的市佔率，掌握更多定價優勢。