江蘇芯德半導體取得實現MEMS芯片互聯的扇出型晶圓級封裝結構專利，保證芯片連接穩定性

金融界2024年12月23日消息，國家知識產權局信息顯示，江蘇芯德半導體科技有限公司取得一項名爲“一種實現MEMS芯片互聯的扇出型晶圓級封裝結構”的專利，授權公告號CN 222181816 U，申請日期爲2024年5月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種實現MEMS芯片互聯的扇出型晶圓級封裝結構，包括eWLB‑F芯片、倒裝於eWLB‑F芯片上的MEMS芯片；所述eWLB‑F芯片包括芯片塑封層和重佈線層塑封層包裹芯片並露出芯片一的鍵合區，重佈線層一位於塑封層上，重佈線層與芯片一互聯，重佈線層一表面有焊盤一和焊盤二，焊盤一上植有焊球一；所述MEMS芯片包括芯片二和焊球二，倒裝的MEMS芯片的焊球二與重佈線層一的焊盤二互聯並進行填充固化。本實用新型採用倒裝技術將預先單獨製作好的eWLB‑F芯片和MEMS芯片實現互聯，簡化封裝過程，對位精度並進行underfill工藝，該結構保證芯片的連接穩定性，提高了產品可靠性和性能。

本文源自：金融界

作者：情報員