力積電SEMICON雙喜臨門 3D晶圓堆疊/2.5D中介層獲國際大廠青睞

力積電董事長黃崇仁。圖／聯合報系資料照片

力積電宣佈美、日大廠將以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術，結合一線晶圓代工廠的先進邏輯製程，開發高頻寬、高容量、低功耗的3D AI晶片，爲大型語言模型人工智慧(LLM-AI)應用及AI PC(個人電腦)提供低成本、高效能的解決方案。同時針對GPU與HBM(高頻寬記憶體)的高速傳輸需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer(中介層)，也通過國際大廠認證，將在該公司銅鑼新廠導入量產。

據瞭解，力積電與工研院合作開發全球首款專爲生成式AI應用所設計的3D AI晶片，甫拿下2024 World R&D100 AI晶片大獎。該公司更針對當前HBM市場嚴重供不應求的窘況，於今年SEMICON Taiwan大展發表3D晶圓堆疊的Logic-DRAM晶片製程技術，以此創新制程生產的3D AI晶片，應用在人工智慧推論(Inference)系統，已展現資料傳輸頻寬是傳統AI晶片10倍、功耗僅七分之一的優異效能。

力積電透露，由於同時掌握記憶體、邏輯兩大製程平臺，近年該公司領先全球大力研發的3D晶圓堆疊Logic-DRAM晶片製程技術，目前已和美商AMD、日本GPU(圖形處理器)晶片設計業者及多家國際系統大廠聯手，以力積電Logic-DRAM 多層晶圓堆疊技術，與一線晶圓代工大廠先進邏輯製程合作開發新型3D AI晶片，發揮3D晶圓堆疊的優勢，爲商機龐大的大型語言模型人工智慧(LLM-AI)應用市場，以及方興未艾的AI PC新需求，提供高性價比的創新解決方案。

根據不同客戶的AI晶片設計需求，力積電錶示，透過合作伙伴愛普公司設計客製化DRAM晶片，再加上Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術，與現有采用HBM的2.5D AI晶片架構相較，新款3D AI晶片能夠在相同單位面積提供高達100倍傳輸頻寬、龐大記憶體容量，考量GPU、HBM價格高昂、供不應求的現況，對亟需提升效能、降低成本和功耗的LLM-AI應用及AI PC市場深具吸引力。

另外，爲支援GPU與HBM2E、HBM3高頻寬記憶體的傳輸，力積電根據客戶需求開發的2.5D Interposer搭配高密度電容IPD產品，已通過國際大廠的認證，目前該公司正積極在銅鑼新廠布建生產線，以因應客戶需求加速導入量產。