Microchip將爲Mersen SiC電源協議堆疊參考設計

Mersen的三相碳化矽電源協定堆疊參考設計爲系統設計人員提供了完整、緊湊的大功率碳化矽解決方案，無需進行單獨的元件採購、測試和認證。電源協定堆疊參考設計包括Microchip的碳化矽電源模組和數位閘極驅動器以及Mersen的疊層母排、熔斷器、電容器和熱管理，在單一的高效能協議堆疊參考設計中進行了優化設計。

憑藉Microchip的1200V MSCSM120AM042CD3AG碳化矽MOSFET和AgileSwitch 2ASC-12A1HP數位閘極驅動器，電源協定堆疊參考設計使工程師能使用爲其應用預先設計的套件快速開發高壓系統，進而將上市時間最多縮短至六個月。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示，與Mersen合作提供碳化矽MOSFET和數位閘極驅動器解決方案，將使Microchip的客戶受益。功率逆變器設計人員能採購到成熟的解決方案，就可以避免採購單獨的零件，並透過可靠性降低風險，有助於避免故障情形。設計人員如今終可採用一體化的評估系統。

電源協議堆疊參考設計提供16 kW/l的功率密度和高達130℃的Tj，峰值效率爲98％，開關頻率高達20 kHz。憑藉Microchip堅固的碳化矽MOSFET和AgileSwitch系列可配置數位閘極驅動器，該參考設計使工程師能夠從700V和1200V選項中選擇電流高達750A的產品。Microchip還提供模組結構選項，包括基板材料、直接接合銅（DBC）陶瓷材料和晶片連接方法。

Mersen副總裁暨全球戰略行銷執行專家Philippe Roussel表示，爲從單一來源獲得高度穩健的碳化矽MOSFET和相容的數位閘極驅動器，我們與Microchip緊密合作，設計和開發了這款碳化矽電源協議堆疊參考設計。因此，依託我們的高可靠性疊層母排、電容器、熔斷器和冷卻系統產品線，我們有能力優化客戶的任何逆變器拓撲結構。多功能的Microchip碳化矽陣容也使我們有能力將這些主要規格擴展到更高的電壓、電流和開關頻率，以滿足每個客戶的關鍵需求。

除了Mersen的電源協定堆疊參考設計中的產品外，Microchip還是其他碳化矽電源解決方案的供應商，包括650V至1700V的MOSFET和蕭特基二極體系列，提供裸晶以及各種分離和多晶片模組封裝。

Microchip將內部碳化矽晶片生產與低電感功率封裝和數位閘極驅動器相結合，使設計人員能夠製造出高效、緊湊和可靠的終端產品。這些元件與微控制器（MCU）、類比和MCU周邊以及通信、無線和安全技術組合在一起，爲許多應用的系統設計人員提供了成熟的整體系統解決方案。