三星否認有關其HBM3e芯片通過主要客戶測試
據彭博報道,三星7月4日否認有關其HBM3e芯片通過主要客戶測試的報道。此前韓國媒體NewDaily報道稱,三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產品測試,三星將很快就大規模生產HBM並供應給英偉達一事展開談判。三星電子股價7月4日上漲3.6%,達到4月12日以來的最高點。
相關資訊
- ▣ 三星否認8層HBM3E通過英偉達測試
- ▣ 三星電子8層版本的HBM3E存儲芯片通過英偉達測試
- ▣ 三星8層HBM3E芯片通過英偉達測試 將用於AI處理器
- ▣ 英偉達CEO否認三星HBM芯片未通過任何英偉達測試
- ▣ 重磅!三星8層HBM3E芯片據稱通過英偉達測試 四季度開始供貨
- ▣ 三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試,“正改善質量”
- ▣ 三星HBM芯片通過英偉達測試
- 三星8層HBM3E晶片通過NVIDIA測試 韓媒:與事實不符
- ▣ 三星股價大漲,其HBM芯片據稱通過英偉達測試
- ▣ 三星HBM芯片據稱通過英偉達測試
- 三星搶攻輝達供應鏈 HBM3E通過測試與否 內部人士這樣說
- ▣ 傳未通過英偉達HBM芯片測試?三星:正與客戶密切合作優化產品
- ▣ 電科芯片:語音互聯衛星通信芯片處於客戶驗證測試中
- ▣ 三星再度迴應英偉達HBM3E芯片報道:測試正在「按計劃」進行
- ▣ 電科芯片(600877.SH):語音互聯衛星通信芯片目前處於客戶驗證測試中
- 三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試,預計今年底開始交付
- 三星否認HBM3e晶片已通過NVIDIA審查 大漲後收斂
- ▣ 電科芯片:公司語音互聯衛星通信芯片目前處於客戶驗證測試中,後續將根據驗證測試情況開展下一步工作
- ▣ 和林微納:半導體芯片測試探針主要應用於全球中高端芯片測試
- ▣ 三星電子HBM芯片據悉尚未通過英偉達測試,涉及發熱和功耗問題
- ▣ 全志科技申請 SOC 芯片測試相關專利,提升芯片測試效率
- HBM3e面臨良率學習曲線、客戶驗證挑戰 明年是否過有待觀察
- ▣ 三星電子股價今日漲超3% 英偉達着手驗證測試其HBM芯片
- ▣ 事關HBM,三星否認:還沒有!
- ▣ 【特稿】英媒稱三星最新HBM芯片尚未通過英偉達檢測
- ▣ 紫光展銳5G芯片通過墨西哥運營商Telcel測試
- ▣ 三星否認將在HBM芯片生產中應用MR-MUF工藝
- 路透:三星的八層HBM3E晶片已通過輝達測試 Q4有望供應
- 否認偷換彈力球 大聯盟:經過測試沒有問題