三星否認將在HBM芯片生產中應用MR-MUF工藝

財聯社3月13日電，三星電子發佈聲明稱，關於三星將在其HBM芯片生產中應用MR-MUF（批量回流模製底部填充）技術的傳言並不屬實。早些時候有報道稱，三星計劃採用SK海力士使用的MR-MUF封裝工藝，替代部分其目前採用的非導電薄膜（NCF）技術。