SK海力士將建在美首座晶片廠 斥資近40億美元 2028年下半年量產

SK海力士計劃斥資近40億美元，在美國印第安納州West Lafayette興建先進封裝廠和AI產品研究中心。路透

SK海力士計劃斥資38.7億美元在美國印第安納州West Lafayette興建先進封裝廠和AI產品研究中心，這標誌拜登政府在尋求增加美國本土半導體產量上的勝利。

這家全球第二大記憶體晶片製造商表示，首座美國廠擬於2028年下半年開始量產，重點是建設下一代高頻寬記憶晶片（HBM）生產線，這些晶片是訓練AI系統的繪圖處理器關鍵組件。

作爲所謂HBM晶片的主要設計者和生產商，SK海力士已成爲AI發展熱潮的關鍵參與者。SK海力士的項目標誌美國增加先進封裝產能的雄心壯志向前邁出重要一步。美國的封裝產能僅佔全球的3%，意味在美國生產晶片的公司仍需將晶片運往亞洲組裝使用。