臺積電宣佈背面供電版 N2 製程 2025 下半年推出，2026 年量產

IT之家 4 月 25 日消息，臺積電在近日公佈的 2023 年報中表示，其背面供電版 N2 製程節點定於 2025 下半年向客戶推出，2026 年實現正式量產。

臺積電表示其 N2 製程將引入其 GAA 技術實現 —— 納米片（Nanosheet）結構，在性能和能效方面都提升一個時代，預計於 2025 年啓動量產。

而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用於高效能運算相關應用”，將在標準版 N2 後投入商用。

傳統芯片採用自下而上的製造方式，先製造晶體管再建立用於互連和供電的線路層。但隨着製程工藝的收縮，傳統供電模式的線路層越來越混亂，對設計與製造形成干擾。

背面供電將芯片供電網絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。

臺積電在先進製程代工領域的兩大對手也在積極佈局背面供電技術。

其中英特爾將在今年上半年的 Intel 20A 節點導入背面供電；另據IT之家以往報道，三星也有望在 2025 年的 SF2 節點應用此技術。

換句話說，2nm 製程將成爲背面供電進入商業應用的標誌節點。