西安奕斯偉申請氧含量可控的單晶硅和硅晶圓等專利，有效控制氧元素在單晶硅中的分佈

金融界2024年10月26日消息，國家知識產權局信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司申請一項名爲“氧含量可控的單晶硅和硅晶圓、單晶硅生長方法及系統”的專利，公開號 CN 118814268 A，申請日期爲 2024 年 8 月。

專利摘要顯示，本申請提供了氧含量可控的單晶硅和硅晶圓、單晶硅生長方法及系統，所述方法包括：在單晶硅的生長過程中，獲取石英坩堝的實際加熱時長；根據所述實際加熱時長和目標加熱時長之間的差值所在的差值範圍，確定控制參數集及其配置參數值；所述控制參數集包括晶體轉速和/或坩堝轉速，不同的差值範圍對應的控制參數集不同；基於所述控制參數集的配置參數值，自動配置相應的控制參數，以使所述單晶硅的氧含量和目標氧含量之間的氧含量偏差爲‑10％～10％。本申請通過監控實際加熱時長與目標加熱時長的差值，允許分階段自動調整晶體和坩堝的轉速，有效控制氧元素在單晶硅中的分佈，減少晶體生長異常和石英坩堝加熱時間過長對單晶硅氧含量的影響。

本文源自：金融界

作者：情報員