新聞分析－晶圓廠資本支出暫未修正

市場傳出，臺積電可能會二度下修全年資本支出，由360億美元高緣降至340億元，並延後2奈米先進製程推進時程，高雄廠也延至2024年量產。不過，業界指出，包括臺積電、聯電、三星等仍維持今年初的資本支出計劃不變，設備業者指出，第一季尚未結束，市況並未再度惡化，沒有必要在此時再度下修資本支出。

以臺積電、三星等過去的投資動作來看，景氣下行初期時會略爲縮手，但接近谷底時反而會開始逆勢增加投資，如此才能在景氣復甦時搶下更多市佔率。例如上次半導體景氣在2019年觸底回升，臺積電當年就拉高資本支出併成爲全球最大7奈米晶圓代工廠。

臺積電維持今年資本支出320～360億美元計劃。臺積電說明，鑑於市場的短期不確定性，將繼續審慎管理業務，並適時調整和緊縮資本支出。儘管如此，臺積電仍重申支持客戶成長的承諾，嚴謹的資本支出和產能規劃仍是基於長期的結構性市場需求。

臺積電今年資本支出中有70％用在先進製程技術，20％用於特殊製程，約10％將用於先進封裝、光罩製作等。由於近年來資本支出維持高檔，且3奈米生產線已開始進入量產階段，今年折舊費用將較去年增加約30％，但不會影響每季季實現可持續性的現金股利。

聯電應對當前的景氣低迷，已進行嚴格的成本控管措施，並儘可能推遲部份資本支出，但中長期來看，仍預期成熟製程結構性產能不足情況會在下半年之後逐步顯現。聯電去年下半年將部分投資遞延至今年，所以今年資本支出增加至30億美元。至於三星電子日前說明會在不景氣時逆勢投資，今年資本支出53兆韓元（約400億美元）約與去年相當，包括增加韓國平澤的3奈米晶圓代工產能建置，以及完成平澤P3及P4兩座記憶體廠量產前準備。三星晶圓代工產能維持不變，不過DRAM及NAND Flash價格跌勢不止，三星已鬆口表示第一季會主動降低產能利用率以因應當前危機。