揚傑電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與製造方法專利，方法制作工藝簡單

金融界2024年10月29日消息，國家知識產權局信息顯示，揚州揚傑電子科技股份有限公司申請一項名爲“一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與製造方法”的專利，公開號CN 118824858 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與製造方法。涉及功率半導體器件技術領域。包括以下步驟：步驟1，提供N+型SiC襯底，並在N+型SiC襯底上生長N‑型SiC外延層；步驟2，在N‑型SiC外延層上通過主溝槽高濃度P+型離子注入，形成主溝槽Pplus屏蔽層；步驟3，在N‑型SiC外延層上通過主溝槽P型離子注入，形成主溝槽Pwell阱區；步驟4，在N‑型SiC外延層上通過主溝槽高濃度N+型離子注入，形成主溝槽Nplus區；步驟5，在N‑型SiC外延層上通過次溝槽高濃度P+型離子注入，形成次溝槽Pplus屏蔽層；步驟6，在N‑型SiC外延層上通過次溝槽P型離子注入，形成次溝槽Pwell阱區；本發明方法制作工藝簡單，效果顯著，不僅適用於新型SiC MOSFET功率器件的製造，同樣適用於Si，GaN基等半導體器件的製造。

本文源自：金融界

作者：情報員