晶合集成申請一種半導體結構的製作方法專利，提高半導體結構的電性性能

金融界2024年7月3日消息，天眼查知識產權信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名爲“一種半導體結構的製作方法“，公開號CN202410702896.1，申請日期爲2024年6月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體結構的製作方法，屬於半導體技術領域，所述半導體結構的製作方法包括：提供一襯底，並在所述襯底上形成柵極；在所述柵極兩側形成第一側牆，所述第一側牆包括疊層和阻擋層，所述疊層覆蓋所述柵極的側壁和靠近所述柵極的部分襯底，在所述柵極和所述襯底的連接處形成拐角，所述阻擋層位於所述拐角上；在所述襯底中形成摻雜區，所述摻雜區位於所述第一側牆兩側；移除所述阻擋層，形成第二側牆；在所述襯底、所述第二側牆以及所述柵極上沉積應力層，並退火；以及，移除所述應力層，並在所述柵極和所述摻雜區上形成金屬硅化物層。通過本發明提供的一種半導體結構的製作方法，提高半導體結構的電性性能。

本文源自：金融界

作者：情報員