銳立平芯申請半導體測試結構及其測試方法專利，能快速有效地發現半導體結構中的缺陷

金融界2024年10月31日消息，國家知識產權局信息顯示，銳立平芯微電子（廣州）有限責任公司申請一項名爲“半導體測試結構及其測試方法”的專利，公開號CN 118841400 A，申請日期爲2024年6月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種半導體測試結構及其測試方法，包括第一鰭形有源區；第二鰭形有源區，位於第一鰭形有源區的一側，第一互連結構，與第一鰭形有源區相接觸；第二互連結構，位於第一鰭形有源區鄰近第一互連結構的一端，與第二鰭形有源區相接觸；第三互連結構，與第二鰭形有源區相接觸；第一柵極，位於第一鰭形有源區的一端，且位於第一互連結構與第二互連結構之間，並橫跨第二鰭形有源區；第二柵極，位於第二互連結構與第三互連結構之間，且橫跨第二鰭形有源區。本申請中的半導體測試結構而能夠通過對半導體測試結構施加測試電壓，快速有效地發現半導體結構中各種佈局圖形引起的缺陷。

本文源自：金融界

作者：情報員