物元半導體申請半導體器件製造方法專利，進一步減薄晶圓厚度

金融界2024年11月11日消息，國家知識產權局信息顯示，物元半導體技術（青島）有限公司申請一項名爲“半導體器件的製造方法及半導體器件”的專利，公開號CN 118919489 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種半導體器件的製造方法及半導體器件，其中，製造方法至少包括以下步驟：提供一器件晶圓；對器件晶圓的正面執行正面工藝；形成覆蓋器件晶圓的正面的硬掩模層；提供一支撐晶圓；將器件晶圓上的硬掩模層與支撐晶圓的鍵合表面鍵合連接，以使器件晶圓和支撐晶圓上下堆疊形成晶圓組合，晶圓組合位於厚度方向上的兩側表面分別爲第一表面和第二表面；對晶圓組合的第一表面執行研磨工藝至器件晶圓達到目標厚度；對晶圓組合的第二表面執行Taiko工藝，通過Taiko工藝對支撐晶圓除邊緣之外的區域進行減薄，減薄後在邊緣形成環狀結構。通過該製造方法可以進一步減薄晶圓厚度，同時減少缺陷的產生，提高良品率。

本文源自：金融界

作者：情報員