愛思開海力士申請半導體存儲器裝置及製造方法專利，提高半導體存儲器裝置性能

金融界2024年11月6日消息，國家知識產權局信息顯示，愛思開海力士有限公司申請一項名爲“半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的製造方法”的專利，公開號 CN 118900566 A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，本文提供了半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的製造方法。該半導體存儲器裝置包括：第一柵極層疊體，其包括在垂直方向上交替層疊的多個層間絕緣層和多個導電圖案；第二柵極層疊體，其包括依次形成在第一柵極層疊體上的源極選擇線和絕緣圖案；以及溝道結構，其在垂直方向上延伸到第一柵極層疊體和第二柵極層疊體中，並且包括向上突出高於第二柵極層疊體的第一端，其中，源極選擇線包括依次層疊的多個導電層。

本文源自：金融界

作者：情報員