英飛凌發表採用PQFN 3.3x3.3mm封裝源極底置25V功率MOSFET

英飛凌（Infineon）新封裝概念將源極（非傳統的汲極）與導熱片相連，除了實現新的PCB佈局，更有助於實現更高的功率密度和性能。（圖／英飛凌提供）

德國半導體大廠英飛凌科技（Infineon）持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰，透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置（Source Down）是符合業界標準的全新封裝概念，英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率金氧半場效電晶片（MOSFET），採用PQFN 3.3x3.3mm封裝的OptiMOS 25V。這款裝置在MOSFET性能方面樹立了新的產業標竿，不僅導通電阻降低，還具有業界領先的散熱管理指標，其應用範圍非常廣泛，包括：馬達驅動、SMPS（包括伺服器、電信和OR-ing）及電池管理等。

新封裝概念將源極（而非傳統的汲極）與導熱片相連。除了實現新的PCB佈局，更有助於實現更高的功率密度和性能。目前推出兩種不同封裝的版本，分別是源極底置標準閘極（Standard-Gate）和源極底置置中閘極（Center-Gate）的PQFN 3.3x3.3mm封裝。

源極底置標準閘極的封裝是基於既有的PQFN 3.3x3.3mm引腳輸出組態。電子連接的位置保持不變，使得全新的源極底置封裝能直接取代現行標準的汲極底置（Drain-Down）封裝。另外針對置中閘極版本，其閘極引腳被移至中心位置，可輕鬆達成多個MOSFET並聯。由於汲極到源極的沿面距離增加，因此可將多個裝置的閘極連接到同一PCB層上。此外，將閘極連接移至中央位置還能使源極面積變大，亦有助於改善裝置的電子連接。

這項創新技術可大幅降低導通電阻，較現行技術減少多達30％。相較於目前的PQFN封裝，結殼熱阻（RthJC）亦獲得大幅改善。由於寄生效應降低，PCB耗損改善，加上出色的散熱效能，新封裝概念將爲任何當代的工程設計帶來更多附加價值。兩款採用PQFN 3.3x3.3mm封裝的OptiMOS源極底置25V功率MOSFET目前已開始供應。