2025年記憶體產業營收將受惠HBM、QLC均價上揚而創新高

HBM已成AI發展的記憶體新寵。(路透)

根據集邦科技最新記憶體產業分析報告,受惠於位元需求成長、供需結構改善拉昇價格,加上高頻寬記憶體(HBM)等高附加價值產品崛起,預估今年DRAM及NAND Flash產營收年增幅度將分別增加75%和77%。2025年產業營收將持續維持成長,DRAM年增約51%、NAND Flash年增則來到29%,將創歷史新高,並推動資本支出回溫、帶動上游原料需求,記憶體買方成本壓力也將隨之上升。

集邦估計,預估受惠於DRAM均價在2024年增加53%、2025年增加35%的條件下,進一步推升2024年DRAM營收達907億美元、年增75%,2025年達1,365億美元、年增51%。

集邦表示,4項驅動DRAM營收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和伺服器(Server)需求復甦。相較一般型DRAM,HBM除拉昇位元需求,也拉高產業平均價格。預估2024年HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%、營收20%。

此外,DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產品的滲透同樣有助提高平均價格。集邦估計,DDR5將分別貢獻2024、2025年server DRAM位元出貨量40%、60-65%;,LPDDR5/5X會貢獻2024、2025年mobile DRAM位元出貨量50%和60%。

集邦估計,2024年NAND Flash營收將達662億美元、年增77%;2025年在大容量QLC Enterprise SSD崛起、smartphone採用QLC UFS、原廠資本支出限縮供給和server需求復甦等4項因素帶動下,NAND Flash營收將達786億美元、年增29%。北美CSPs已開始在inference AI server大量採用QLC enterprise SSD,尤其是大容量規格。TrendForce預估,QLC將貢獻2024年NAND Flash位元出貨量20%,此比重2025年將再提升。在smartphone應用,QLC預計逐步滲透UFS市場,部分中國smartphone業者預計於2024年第四季起採用QLC UFS方案,Apple則預計2026年開始導入至iPhone。

集邦表示,記憶體產業營收創紀錄下,原廠將有足夠現金流加速投資。預估2025年DRAM、NAND Flash產業資本支出分別年增25%、10%,且有機會上修。此外,記憶體生產規模提升將帶動對矽晶圓、化學品等上游原料需求,但相反的,記憶體價格上漲將增加電子產品成本,ODM/OEM業者較難完全將成本反映在零售價上,利潤勢必將被壓縮,終端銷量也可能受到壓抑,導致需求下滑。