《半導體》南亞科：H2記憶體需求回穩 今年新制程進度如常

南亞科董事長吳嘉昭表示，112年度第1季俄烏戰爭未歇、歐美通膨仍未落底、大陸雖解封但內需亟待回溫，全球經濟走緩，企業撙節支出，加上美國擴大對大陸科技管制，且部分客戶仍在消化庫存等因素，DRAM記憶體市況持續低迷。

根據研調單位評估，第1季供應商的存貨水位持續增加，紛紛宣佈啓動減產以控制產出/庫存，減少資本投資，延緩製程轉進，以因應需求成長的疲弱。

南亞科展望後市，預期第2季起，部分負面因素可望逐步趨緩，加上供應商資本支出調整的因應，使得下半年終端庫存有機會正常化，DRAM記憶體市場需求將回穩。在伺服器方面，企業用雲端記憶體需求相對穩定，然而短期間，消費用雲端業者受景氣影響縮減投資。下半年，可望看到長短料問題解除，CPU新平臺及DDR5需求增加，有利伺服器及個人電腦市場。

在手機方面，美、韓手機廠出貨量能持平，但短期大陸手機廠庫存居高；預期第2季起可望逐步好轉，下半年整體手機出貨有機會恢復正常。PC年出貨量則預期持續衰退，但DRAM平均搭載量將成長。

其他消費性電子產品如電視、機上盒等，第1季銷售仍疲弱，下半年可望恢復正常。而網通、工控及車用需求則相對健康。

綜合上述，今年整體DRAM需求成長率可能低於長期平均值，但DRAM是電子產品智慧化的關鍵元件，未來各種消費型智慧電子產品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智慧工廠、智慧汽車、智慧家庭、智慧穿戴、及AR/VR/MR等，將帶動DRAM應用更加多元化，預期今年市場需求將逐季改善，且長期每年應可維持10~20%的位元需求成長。

112年度除持續推展現有既有各產品線業務外，將新增獨立自主開發的DDR5及1A製程產線。今年度計劃1B製程的第一顆產品完成試產，及1C的測試產品完成製程測試，113年起，逐步於現有廠房導入1B量產及1C試產。新廠營建亦將如期進行，115年起，視市場需求導入製程設備。

10奈米第一世代(1A)新制程產品，已完成前導產品8Gb DDR4客戶驗證，且於去年第4季開始少量生產，並同步降低30奈米產品的投片。而10奈米第一世代(1A)新產品爲本年度的重點，將推廣至消費型機上盒及個人電腦應用市場，同時進行下世代DDR5的產品驗證及量產準備。使用10奈米第二世代(1B)製程技術的前導產品已在試產中，預期今年年底進入量產。目前規畫有5顆產品正在研發中，將陸續導入試產。而使用10奈米第三世代(1C)製程技術的功能測試晶片正在試產，而先導產品的設計同步進行中。

南亞科112年度爲因應新廠興建、1A/1B製程技術量產的機器設備等資本支出上限，資本支出預計爲新臺幣185億元；其中約半數爲生產製造設備類預算。