M31與高塔半導體合作 成功開發65奈米的SRAM和ROM先進記憶體解決方案

M31與高塔半導體合作， 成功開發65奈米的SRAM和ROM先進記憶體解決方案。圖/M31提供

全球矽智財供應商M31 Technology Corporation円星科技（以下簡稱M31）宣佈與高塔半導體（Tower Semiconductor）合作，成功開發65奈米制程的SRAM（靜態隨機存取記憶體）和ROM（唯讀記憶體）IP產品，並將設計模組交付客戶端完成驗證，搭配此平臺的低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體）所設計的電路架構，能夠滿足SoC晶片嚴格的低功耗要求。

此外， M31的IP有提供多組Deep NWell電壓組合（0~8V、8~16V、16~24V）讓客戶選擇，使用者能更有彈性的跟其他外部IC整合。不僅如此，雖然是低功耗取向，M31也克服設計上的挑戰，進而在速度達到一定程度的雙重目標，爲客戶達成效能最佳化。

M31是專業的矽智財（IP）供應商，致力於提供經過嚴格矽驗證的IP產品，而高塔半導體則是專精於提供先進類比電路半導體解決方案的領先代工廠。M31和高塔半導體的合作主要集中於成熟製程上，開發65奈米制程平臺的先進記憶體編譯器的Single Port 、One Port以及ROM，這將爲物聯網（IoT）、智慧型穿戴裝置、車聯網（V2X）、人工智慧（AI）等應用領域提供更可靠、高效的半導體元件，有助於客戶在市場上取得競爭優勢。雙方將通過技術整合，提高生產效率並降低成本，滿足市場對高度集成、低功耗、高性能半導體解決方案的不斷增長的需求。

M31研發副總連南鈞表示，M31此次合作中特別專注於類比IC和低功耗元件的技術整合，展現高度的偕同效應，協助客戶在日漸複雜的SoC晶片架構中，實現性能和功能的優勢。

高塔半導體的客戶設計支援中心副總Samir Chaudhry表示，隨着數位類比IC中的元件需求持續上升，此次擴大與M31的合作，開發兼容Tower 65奈米電源管理平臺的先進記憶體編譯器，這次合作突顯了雙方致力於爲客戶提供尖端解決方案以及高效且準確的工具來創建下一代IC的承諾。