三星2nm工藝EUV層數相比3nm將增加30%
《科創板日報》19日訊,與3nm工藝相比,三星2nm工藝節點的EUV層數將增加30%,這意味着芯片可容納更多電路,目前該公司3nm工藝節點有20個EUV層。 (The Elec)
相關資訊
- ▣ 揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構
- ▣ 三星電子將在2nm工藝應用後端供電技術
- ▣ 三星晶圓代工3nm和2nm節點發展順利 4nm良率趨於穩定
- 外媒:三星尋求加快5nm及3nm芯片製程工藝研發
- 三星目標2025年量產2nm工藝:性能和效率顯著提升
- ▣ 三星,押注2nm
- ▣ 預估同比增長 318%,3nm 工藝吹響 2024 手機芯片出貨量反彈號角
- ▣ 臺積電2nm工藝步入正軌 iPhone17系列將率先使用
- ▣ Exynos 2500能效或超第四代驍龍8,是三星首款採用第二代3nm工藝的SoC
- ▣ AMD Zen 5 CPU將於第二季度採用臺積電3nm工藝製造 並於第三季度量產
- ▣ ASML:將獲臺積電“大量”2nm相關訂單
- ▣ 臺積電搶先三星電子 將爲蘋果、輝達試產2nm晶片
- ▣ 三星電子再獲大單,將爲日本Preferred Networks生產 2nm AI 芯片
- ▣ 3nm工藝!AMD未來APU有名字了:有希望上Zen6
- ▣ 2nm出問題了,三星遭遇重大挫折
- 60萬跑分 聯發科將推出6nm EUV工藝的天璣5G芯片:A78+G77
- ▣ 三星與臺積電據悉都將從2025年開始投入2nm製程量產
- 三星希望將最尖端芯片製造技術保留在本國 包含2nm
- ▣ 三星全力提升3nm良率 目標60%以上
- ▣ Exynos 2500有望成爲三星首款3nm芯片組
- ▣ 臺積電又贏了?3nm爭奪戰三星已露敗相 良率低成最大痛點
- ▣ 首臺商用High NA EUV光刻機完成組裝,將助力Intel 14A工藝開發
- 繽紛顏料牆與繪畫室!IG打卡數爆增的三層樓藝術餐廳
- ▣ 三星砸EUV專攻3奈米能超車臺積電? 這些慘劇揭真相
- 三星推出首款5nm工藝芯片Exynos 1080,vivo將首發
- ▣ 三星3nm移動應用處理器實現首次流片
- 看臺積電狂掃全球半數EUV慌了? 爆三星少主親訪ASML拉貨
- ▣ 三星否認將在HBM芯片生產中應用MR-MUF工藝
- 三星S20 Ultra相機分數將公佈 能超越華爲P40 Pro?