三星超車臺積電？ 10奈米制程明年商業化
▲三星宣佈10奈米制程將於明年商業化，意味在先進製程上將超車臺積電。(圖／本報資料照片)
全球三大晶圓代工廠在先進製程上的戰爭正式進入肉搏戰的狀態！韓國三星在17日宣佈，率先領先業界運用10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產SRAM（靜態隨機存取記憶體）。這樣意謂着三星10奈米制程技術已超車臺積電，甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都只能看三星的車尾燈。對此，臺積電近兩日的股價似乎沒有太大受到影響。臺積電18日收盤股價爲137元，小跌2元。而19日開盤又再重回138元價位，最高一度來到139元。
由於SRAM 速度比 DRAM 快，常被當作中央處理器（CPU）的快取記憶體，藉以提高CPU存取效率。而三星成功開發新世代SRAM，也代表其處理器製程工藝進階至10奈米的過程相當順利。其它，包括臺積電與英特爾在SRAM 製程技術上，目前還分別停留在16與14奈米的製程上。
與14奈米SRAM相比，10奈米可將128MB記憶體單位儲存面積縮小37.5%，配合10奈米打造的處理器，不僅運算效能加快且佔用空間更小。三星希望明年底將10奈米完成商業化。而如果三星在10奈米上能在2017年初進入全面量產，將使三星爭搶處理器代工訂單佔得有利位置。
另外，三星還同時將平面NAND快閃記憶體制程技術從16奈米推進至14奈米，將可降低生產成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在15或16奈米制程階段，並認爲這是平面NAND記憶體制程的極致，之後將朝3D堆疊發展。不過在三星做出突破後，或許平面NAND還有進一步延展的可能。
資訊恐慌症發作？下載「ETtoday新聞雲APP」快速補給→iOS：https://goo.gl/rmIDdxAndroid：https://goo.gl/XPe8Uj
一秒掌握世界大小事「ETMetro捷運報APP」離線看不斷線→iOS：https://goo.gl/Dz9IsFAndroid：https://goo.gl/lY8HnE