臺積電2奈米明年量產 集邦：半導體邁GAAFET競爭

臺積電。路透

臺積電2奈米制程將於明年量產，是臺積電採用第1代奈米片架構技術，市調機構集邦科技表示，全球3大半導體廠臺積電、英特爾（Intel）和三星（Samsung）將邁入GAAFET架構的競賽新局面。

集邦科技今天發佈新聞稿指出，鰭式場效電晶體（FinFET）架構自3奈米開始逐漸面臨物理極限，半導體先進製程技術發展也出現分歧。

臺積電和英特爾在3奈米制程延續採用FinFET架構，三星嘗試自3奈米導入基於環繞閘極電晶體（GAAFET）的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，但至今仍未放量。

集邦科技表示，臺積電2025年量產2奈米制程，將轉進奈米片架構，英特爾18A將導入帶式場效電晶體（RibbonFET），三星仍致力改善3奈米MBCFET製程，3家半導體廠正式轉進GAAFET架構競賽。

集邦科技指出，臺積電等廠商採用GAAFET架構，是希望藉由4面接觸有效控制閘極，爲客戶提供更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。

隨着人工智慧快速發展，驅動客製化晶片及封裝面積需求升高，連帶推升CoWoS需求，集邦科技預估，輝達（NVIDIA）明年CoWoS需求將佔臺積電的60%，並驅動臺積電CoWoS月產能於年底接近倍增到7.5萬至8萬片規模。

集邦科技表示，輝達Blackwell新平臺明年上半將逐步放量，將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，佔比有望超過60%。雲端服務供應商積極打造特殊應用晶片，預期AWS等廠商明年對於CoWoS的需求將明顯增加。

至於高頻寬記憶體發展，集邦科技指出，隨着輝達B300、GB300採用HBM3e 12hi，預期2025年起12hi將成爲產業主流堆疊層數。