英特爾申請具有含金屬鰭狀物隔離區域的集成電路結構專利，提高集成電路的性能

金融界2024年11月28日消息，國家知識產權局信息顯示，英特爾公司申請一項名爲“具有含金屬鰭狀物隔離區域的集成電路結構”的專利，公開號 CN 119028971 A，申請日期爲 2023 年 12 月。

專利摘要顯示，描述了具有含金屬鰭狀物隔離區域的集成電路結構。在示例中，集成電路結構包括位於第一子鰭狀物之上的水平納米線的豎直堆疊體。柵極結構位於水平納米線的豎直堆疊體之上以及位於第一子鰭狀物上。電介質結構與柵極結構橫向間隔開。電介質結構不位於溝道結構之上，而是位於第二子鰭狀物上。柵極切割部位於柵極結構與電介質結構之間。電介質柵極切割部插塞位於柵極切割部中。電介質柵極插塞包括含金屬電介質材料。

本文源自：金融界

作者：情報員