英特爾申請在單元邊界處具有電介質脊的叉片器件專利，提供更大設計靈活性

金融界2024年12月26日消息，國家知識產權局信息顯示，英特爾公司申請一項名爲“在單元邊界處具有電介質脊的叉片器件”的專利，公開號CN 119181703 A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本文提供了用於形成具有包括叉片器件的單元的半導體器件的技術，所述叉片器件在叉片電介質脊的兩側上具有相同摻雜劑類型的源極或漏極區域。所述技術可用於任何數量的集成電路應用中，且對於邏輯和存儲器單元尤其有用。叉片器件可以包括在電介質脊的兩側上的所有p型源極或漏極區域或者在電介質脊的兩側上的所有n型源極或漏極區域。使用具有相同摻雜劑類型的叉片器件允許叉片晶體管和全環柵(GAA)晶體管兩者被包括在同一單元內。單元邊界也可以沿着叉片電介質脊而不是沿着柵極切口放置，這在設計多高度單元時提供更大的靈活性。

本文源自：金融界

作者：情報員