《半導體》IET-KY聯手IVWorks 攻GaN磊晶產品全球杯

IET-KY(4971)(英特磊)宣佈與韓國IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片，英特磊總經理高永中表示，希望透過這次的合作案，聯手開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF(射頻)和電力零組件市場。

5G及物聯網時代來臨，由於氮化鎵(GaN)具有高頻優勢，被看好將是會被大量應用的新一代半導體材料，國內半導體及砷化鎵廠積極跨足佈局，繼日前中美晶(5483)宣佈入股宏捷科(8086)，IET-KY亦在今天宣佈與IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片。

IVWorks運用混合式MBE技術(Hybrid-MBE)，生產高質量的GaN磊晶片；所謂混合式MBE磊晶就是利用氨和電漿搭配的氮源進行磊晶，以最佳化質量和生長速率，該公司開發機器學習的人工智能(AI)磊晶監控系統“Domm”，透過深度學習算法來檢測和分析反射高能電子衍射(RHEED)圖像，使該系統可以在MBE磊晶過程中，即時監控原子層級的晶體生長表面，運用學習數據集來建立預測模型，並以該預測模型應用於磊晶片質量，提高生產良率；該公司目前使用三組MBE系統來生產100mm至200mm的GaN磊晶片。

英特磊則是運用擁有多項美國專利的即時生產監控系統，以分子束磊晶片生產機臺(MBE)成長磊晶片於砷化鎵、磷化銦、銻化鎵基板，產品應用於電子及光電產業，高永中表示，兩家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技術方面即有密切合作，技術和行銷聯盟的框架於2019年形成，利用英特磊在MBE的量產經驗模式，以及硬體設備自主改造升級的實力，可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合，他強調，此次合作將結合IVWorks的先進MBE GaN長晶和AI技術，以及英特磊的大規模MBE磊晶生產和硬體設備自主經驗與能力，共同開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF和電力零組件市場。

IVWorks的首席執行長Young-Kyun Noh則表示，此次與MBE磊晶生產專家英特磊合作，公司將加快使用革命性的AI製造系統向全球半導體行業提供高質量GaN磊晶片，同時提高市場滲透率和應對速度，並藉由英特磊化合在物半導體磊晶業務和大規模生產方面的長期經驗，增強GaN磊晶片的市場競爭力，現有產品GaN/Si(最大200mm)和GaN/SiC(最大150mm)已進入送樣階段。