《產業分析》攜手中美晶及韓廠 宏捷科及IET盼2022年展翅

相較於穩懋(3105)及環宇-KY(4991)，宏捷科(8086)氮化鎵業務仍在起步階段，不過宏捷科日前透過私募普通股4500萬股、每股價格爲77.7元，引進中美晶(5483)策略聯盟，可望加速公司在氮化鎵領域的腳步，宏捷科預估，2022年第1季會有產品認證。

宏捷科總經理黃國鈞表示，宏捷科要做的GaN for RF (高頻)的應用，所以必須是GaN on “SI (semi-insulator) SiC基板，目前GaN on SI-SiC只有4吋可以買得到，6吋幾乎完全控制在Cree手上，不僅價格是天價，也買不太到，如果沒有中美晶集團的6吋SI-SiC開發出來，我們也無法做，因爲根本沒有6吋SI-SiC基板可用，在策略聯盟中，宏捷的角色就是協助中美晶集團verify(校驗)中美晶集團的6吋SI-SiC，因爲宏捷有GaNRF的專業和製造能力，可以快速的反饋中美晶6吋SI-SiC有甚麼需要改善的參數(parameters)，這是一個互相幫忙、互相改善的聯盟。

由於GaN有80%的設備機臺可以和GaAs共用，且我們的產能還是接近滿載，沒有多餘的產能如同其他公司一樣轉一條4吋的產線去生產，所以我們聚焦在6吋的GaN；目前公司月產能約12000片，爲因應客戶需求，擴建的第二廠區廠房已經完成無塵室建置，並進行設備安裝，預估年底月產能將達15000片，並留有每月20000片產能擴充空間，未來產能不是問題。

至於產品規劃，由於大功率的產品都已被日本廠商佔據，很難打進去，我們可能從小功率的Infrastructure產品開始切入，並選擇幾個客戶一起導入研發及產品認證，預估2022年第1季纔會有產品認證。

在磊晶廠—IET-KY (英特磊)方面，公司日前宣佈與韓國IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片。

英特磊總經理高永中表示，公司從10年前開始做氮化鎵，但用MBE生產速度太慢，比MOCVD機臺慢了5倍，不是商業化行爲可以發展的東西，因此停了下來，而IVWorkS運用混合式MBE技術(Hybrid-MBE)，也就是利用氨和電漿搭配的氮源進行磊晶，最佳化質量和生長速率，可以把生長速率提升到MOVCD相似；再者，相較於其他材料，氮化鎵生長溫度條件非常窄，用MBE長晶有特殊優勢，可以用「反射式高能電子繞射儀」看晶體表面，且圖樣可以從頭看到尾，而IVWorks開發機器學習的人工智能(AI)磊晶監控系統“Domm”，可以透過深度學習算法來檢測和分析反射高能電子衍射(RHEED)圖像，使該系統可以在MBE磊晶過程中，即時監控原子層級的晶體生長表面，運用學習數據集來建立預測模型，並以該預測模型應用於磊晶片質量，提高生產良率。

高永中指出，英特磊與IVWorks公司自2018年起在GaN材料和磊晶技術即有密切合作，技術和行銷聯盟的框架於2019年形成，希望透過此次的合作案，利用英特磊公司在MBE的量產經驗模式，以及硬體設備自主改造升級的實力，迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合，兩家公司聯手開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF(射頻)和電力元件市場。

除與IVWorks公司合作，IET-KY氮化鎵(GaN)機臺已組裝完成試機中，預計9月開始試產，目前公司亦已取得美國能源部合約，發展GaN/Si電力應用元件，高永中表示，今年氮化鎵處於送樣階段，預計明年至少再增加1臺機器，明年相關產品營收佔比低於10%，2022年要看發展狀況，公司也將視情況增加機臺。