《半導體》英特磊營運漸入佳境 Q3、Q4好於Q2

渡過上半年營運谷底，IET-KY(英特磊)(4971)營運可望漸入佳境，儘管美國新冠肺炎疫情持續延燒，IET-KY董事長高永中表示，未來生產效率只會增加不會降低，第3季及第4季會比第2季好一點。

IET-KY(英特磊)今天下午舉行法說會，由於部分員工及員工家屬疑似感染新冠病毒，爲避免感染擴大，公司進行較大規模之工作時段分離及強制居家隔離，並鼓勵有疑似接觸史的員工進行檢測，防疫措施造成直接人工成本增加，生產效率下降，整體產能利用率降低，導致產品平均單位成本增高、獲利下降，IET-KY第2季稅後虧損爲796萬元，單季每股淨損爲0.22元，累計上半年稅後虧損爲570萬元，每股淨損爲0.16元；累計前7月合併營收爲3.68億元，年減13.06%。

就產品別來看，今年第2季砷化鎵(GaAs)約佔36.2%、磷化銦(InP)約佔50%、銻化鎵(GaSb)及勞務收入佔12.1%；若以產品應用市場來區分，前三名分別爲光纖網路約佔34.4%，高速傳輸元件約佔28.5%及汽車防撞與車用約佔16.8%。

展望下半年，高永中表示，在砷化鎵部分，VCSEL磊晶片出口到大陸都有拿到許可，目前穩定供貨，且公司接到國防方面新的pHEMT訂單，pHEMT大廠也增加拉貨，推升出貨動能，爲因應市場需求，公司將持續開發更多應用於5G市場的砷化鎵磊晶產品；在磷化銦部分，磷化銦產品以PIN、HBT及APD爲主，第3季除將加快客戶對新廠磊晶片的認證，確保產品品質穩定外，也將加快長波長磷化銦雷射磊晶片的研發應用；在銻化鎵部分，紅外磊晶片新增機臺已投入生產，國防合約簽署正在進行中，公司也將繼續對送樣認證的紅外磊晶片追蹤認證結果，加強銻化鎵單晶存貨儲備。

至於當紅的氮化鎵(GaN)部分，氮化鎵機臺已組裝完成，目前正在試機階段，預計9月開始試產，公司也取得美國能源部合約，發展GaN/Si電力應用元件，公司也宣佈與韓國IVWorks公司合作，將共同開發MBE GaN/Si量產。

高永中表示，目前公司全體員工均無新冠肺炎確診病例，公司在預防及因應疫情部分已有更完整之措施與經驗，後續營運風險已受控制，未來生產效率只會增加不會降低，第3季及第4季會比第2季好一點，隨着銻化鎵國防量產訂單及VCSEL磊晶片放量生產，以及5G相關應用產品及氮化鎵GaN應用於電源供應方面產品佈局發酵，整體營運可望漸入佳境。