第三代半導體成風口 三安光電碳化硅生產線投產
近期第三代半導體概念備受資本市場關注，Wind該概念指數自5月以來累計漲幅近60%，創下歷史新高。證券時報·e公司記者注意到，從上游芯片到設備，電子行業上市公司紛紛佈局第三代半導體。
作爲LED芯片龍頭，三安光電6月23日宣佈總投資160億元的湖南三安半導體基地一期項目正式點亮投產，將打造國內首條、全球第三條碳化硅垂直整合產業鏈。據悉，該產線可月產3萬片6英寸碳化硅晶圓。這將是三安光電向第三代半導體領域擴張的重要一步。
三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖表示，湖南三安半導體的業務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓製造及封裝測試等環節，打造了國內第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產業鏈，能爲客戶提供高品質準時交付產品的同時，兼具大規模生產的成本優勢。
目前湖南三安半導體是中國首條碳化硅垂直整合產業鏈，提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式，有利於形成當地寬禁帶半導體產業聚落，加速上游IC設計公司設計與驗證迭代，縮短下游終端產品上市週期。
LED芯片同行華燦光電最新表示，公司已通過定增投向第三代化合物半導體，業務進一步向GaN功率器件延伸，未來下游輻射領域可從消費電子擴展至汽車電子、數據中心等各類應用。此外，公司第三代半導體材料與器件重點實驗室的各項工作也在有序推進中，但是公司目前暫時沒有開展碳化硅的研發。
去年，華燦光電定增募集15億元，投入建設GaN基電力電子器件的研發與製造項目以及mini/Micro LED的研發與製造項目。
從事晶圓IDM生產模式的華潤微也有佈局第三代半導體。在5月份舉辦的年度股東大會上，公司首席運營官李虹博士介紹，公司第三代半導體碳化硅二極管實現銷售額突破；在近期機構調研中，公司高管表示公司擁有國內首條6英寸商用碳化硅生產線，碳化硅二極管產品已實現銷售額突破，預計今年將進一步推出SiC MOSFET產品；砷化鎵產品6英寸和8英寸平臺正在同步開展研發，計劃在今年向市場推出有關產品。
業內人士指出，第三代半導體投資更小，不用百億元就可以做一條碳化硅的IDM產線。相比之下，硅的生產線投資強度更大。
作爲A股IGBT龍頭，斯達半導也籌劃通過非公開發行，募資不超35億元，用於高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發及產業化項目、功率半導體模塊生產線自動化改造項目、補充流動資金。
去年12月，斯達半導投資2.29億元，建設年產8萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心。
有業內人士向證券時報·e公司記者介紹，碳化硅器件在驅動電容電阻領域的生產工藝和技術已經日趨成熟，被認爲可以代替IGBT，但是成本較貴；從功率模組封裝工藝上來說，碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高，斯達半導模塊封裝技術面臨新的考驗。
在設備端，晶盛機電介紹，公司近年佈局的第三代半導體材料碳化硅的研發取得關鍵進展，成功生長出6英寸碳化硅晶體，公司將持續加強碳化硅長晶工藝和技術的研發和優化，並做好研產轉化，建立生長、切片、拋光測試線，在量產過程中逐步打磨產品質量，掌握純熟工藝和技術，公司碳化硅外延設備已通過客戶驗證。
另外，華峰測控稱，去年公司的第三代半導體訂單顯著增長，未來隨着氮化鎵、功率模塊和電源管理等新興應用帶來大量增量需求。集成電路全產業鏈國產化加速推進，測試設備涉及芯片製造的全部環節，與客戶具有較高的粘性將成爲測試設備中巨大的優勢。
據介紹，近年來，隨着半導體技術的不斷突破，國產模擬及混合信號芯片進入黃金髮展期。尤其第三代半導體器件在快充、5G基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等領域的應用前景廣闊，根據Yole預測， 2025年碳化硅功率器件市場規模將超30億美元，G砷化鎵器件市場規模將超7億美元，而華峰測控在第三代化合物半導體，尤其是氮化鎵領域佈局較早，並已經在第三代寬禁帶半導體功率模塊方面取得了認證，量產，解決了多個砷化鎵晶圓測試的業界難題。