imec展示最新High-NA EUV技術

High-NA微影技術將是延續摩爾定律的關鍵，推動2奈米以下的電晶體微縮。imec致力於打造High-NA微影生態系統，持續籌備與極紫外光（EUV）微影設備製造商艾司摩爾（ASML）共同成立High-NA實驗室。該實驗室將會聚焦全球首臺0.55 High-NA EUV微影設備的原型機開發。

imec執行長Luc Van den hove表示，imec與ASML合作開發High-NA技術，ASML現在正在發展首臺0.55 High-NA EUV微影掃描設備EXE:5000系統的原型機。與現有的EUV系統相比，High-NA EUV微影設備預計將能在減少曝光顯影次數的情況下，實現2奈米以下邏輯晶片的關鍵特徵圖案化。

爲了建立首臺High-NA EUV原型系統，imec持續提升當前0.33 NA EUV微影技術的投影解析度，藉此預測光阻層塗布薄化後的成像表現，以實現微縮化線寬、導線間距與接點的精密圖案轉移。同時，imec攜手材料供應商一同展示新興光阻劑與塗底材料的測試結果，在High-NA製程中成功達到優異的成像品質。同時也提出新制程專用的顯影與蝕刻解決方案，以減少微影圖案的缺陷與隨機損壞。

針對22奈米導線間距或線寬的微影應用，imec已經模擬了EUV光罩缺陷所帶來的影響，包含多層光罩結構的側壁波紋缺陷，以及光吸收層的線邊緣粗糙現象。imec先進微影技術研究計劃主持人Kurt Ronse表示，這些研究成果讓業界瞭解High-NA EUV微影製程所需的光罩規格。

此外，透過與ASML和材料供應商合作，imec針對負責定義圖案結構的光罩吸收層開發了新興的材料與架構。